Ув. , мировые лидеры, химическая промышленность Ничи, уже более десяти лет исследований технологии инкапсуляции, создающих другие, которые не делают, делают то, что уже было новшеством, известное как прекрасно.

в ответ на рыночный спрос, nichia chemistry разработала флип-чип, выпустив новую технологию в марте 2015 г. --- «прямая монтируемая микросхема», размер которой составляет 1010, то есть 1 мм * 1 мм. массовое производство было начато в октябре 2015 года. В будущем будет импортировано освещение и жидкокристаллическое приложение. расчетная шкала добычи в 2016 году будет в три раза больше, чем в 2015 году. В частности, упоминается химия --- dmc (флип-чип), которая в настоящее время стоит относительно высока, но ожидаемая стоимость может быть еще более сокращена в будущем под инвестициями нового оборудования.

Ниже приведено исследование технологии оверлейной сварочной электростанции с электроприводом, основанной на мощности, в том числе фотоэлектрической модели uv, о ходе разработки, применении продукта, методе исследования, техническом маршруте и решении ключевых задач.

отечественная и зарубежная технология

gan uv led, как новый поколение экологически чистого полупроводникового источника света, стал центром индустрии. в 1992 году накамура, известная как отец синего света, была успешно приготовлена ​​мг с типом p gan. впоследствии был принят inan / gan high uv led яркость был подготовлен гетероструктурой в 1993 и 1995 годах. В 2014 году он выиграл нобелевскую премию по физике.

в настоящее время высокая мощность, высокая яркость белого светодиода стала горячей точкой в ​​области освещения. хотя белый светодиод световой эффективности достиг 170 лм / Вт, но из его теоретического значения 250 лм / Вт имеет определенный зазор. поэтому, это ключевая техническая проблема для дальнейшего повышения ее световой эффективности для питания белого светодиода.

вообще говоря, существует два способа улучшить световую эффективность светодиода, который заключается в улучшении внутренней квантовой эффективности и эффективности извлечения света. с другой стороны, как улучшить рассеивание тепла является еще одним ключом к разработке устройств с электроприводом.

с увеличением мощности светодиодов, особенно в области разработки технологии полупроводникового освещения, предлагаются новые и высокие требования к оптической, тепловой, электрической и механической структуре светодиодной упаковки. можно видеть, что технология инкапсуляции с высокой эффективностью, низким тепловым сопротивлением и высокой надежностью является единственным способом, благодаря которому мощная энергия стала практичной и индустриальной. флип-чип-технология, названная антикристаллическим инкапсулированием, представляет собой современную технологию инкапсуляции чипов в технологии IC-инкапсуляции. из-за требований высокопроизводительной упаковки, инкапсуляция с питанием, основанная на технологии покрытия, считается ключевой технологией и тенденцией развития инкапсулированного типа мощности с высокой яркостью.

в традиционных горизонтальных и вертикальных пластинчатых структурах поглощение положительного электрода и общий критический угол отражения интерфейса gan-air значительно повлияют на эффективность оптической экстракции. с другой стороны, в традиционной упаковочной структуре тепловая мощность светодиодной микросхемы должна передаваться на проводящую подложку через сапфир подложки (ее теплопроводность составляет всего 38 Вт / м.к), а тепловое сопротивление микросхемы больше. технология флип-чипа и инверсионные структуры, инвертированный чип подложки из сапфира, чип-сварка непосредственно на теплопроводящей подложке и электроде и подложке, соединены снизу, а также избегают традиционного варианта разности высот по вертикали упаковки сложных проблем. в этот момент свет выходит из прозрачной сапфировой подложки в верхней части чипа. с одной стороны, он избегает экранирования металлического электрода, а также увеличивает общий критический угол отражения оптического интерфейса, поэтому он может эффективно повысить эффективность оптической экстракции. металлический электрод, с другой стороны, микровыпуклая точка и высокая теплопроводность кремниевой, металлической или керамической подложки, такой как прямой контакт, укороченный ток, уменьшенная сопротивляемость, количество тепла снижается, а комбинация этого обеспечивает низкий тепловой сопротивление, является хорошим способом увеличения охлаждающей способности. кроме того, поскольку нет положительного светлого золота, белые светодиодные продукты из процесса покрытия люминофором относительно просты в применении, особенно в процессе покрытия порошком люминофора, продукт консистенции светлого цвета будет значительно улучшен. по сравнению с традиционной упаковкой, структура инверсии имеет преимущества более простого процесса упаковки, снижения стоимости инкапсуляции и более высокой упаковки. наложенная структура состоит из субстрата, ubm, сварочного шара и чипа. метод соединения кристалла с подложкой часто используется в технологии эвтектической сварки.

эвтектическая сварка, называемая сваркой сплавом с низкой температурой плавления, имеет много преимуществ, таких как высокая теплопроводность, малая устойчивость к соединению, равномерное рассеивание тепла, высокая прочность сварки и хорошая консистенция процесса. поэтому он особенно подходит для сварки силовых установок с высокой мощностью и высокой теплоотдачей. основная особенность заключается в том, что два разных металла могут образовывать сплав на фракции температуры каждой точки плавления. общий кристаллический слой металла общей инверсии, как правило, представляет собой сплав au / sn (au80sn20), температура которого составляет 282 ℃. эвтектическая сварка делится на прямую сварку и пайку флюсом. прямая сварка - это чип, который имеет эвтектический сплав на дне непосредственно под эвтектикой, а эвтектическое давление составляет не более 50 г. этот метод - беспомощный поток, чистая технология, высокий доход, но одноразовые инвестиции большие. другой способ эвтектического эвтектического потока, размер электрода в соответствии с переворотом ультрафиолетовый светодиодные чипы , предварительно наплавляя слой сплава au / sn на базовую плиту, а затем точечный поток на базовой плите, светодиодный чип фиксируется на слое сплава базовых плит, в процессе промышленного производства может использоваться обычная твердокристаллическая машина в раздаточной головки, добавить печь для оплавления, сделать форму сварочного сварочного сварочного сварочного шва эвтектического сплава. трудно контролировать количество эвтектического потока в этом процессе, а кривую обратного потока следует исследовать в соответствии с различной рефлюксной топкой, и трудно контролировать ее стабильность. преимущество заключается в том, что процесс менее инвестирован.

два метода эвтектики все должны поддерживать устойчивую температуру расплава au / sn (более 320 ℃), позолота шероховатости поверхности подложки составляет менее 2 микрон, в противном случае это приведет к тому, что эвтектический материал плавления не сможет полностью заполнить интерфейс неровными местами , он не только увеличит тепловое сопротивление устройства, но и сделает комбинацию чипа и подложки неустойчивой, что скажется на качестве упаковки. Кроме того, появились новые материалы из твердого кристалла. в январе 2014 года дексеры показывают проводящий адгезив, проводящие частицы размером всего 5 микрон, использование проводящего клея, прочного после подложки, затем полностью изолируют p / n-полюс, проводящие частицы разрываются, чтобы завершить проводимость тока , эвтектика au / sn сплава нуждается в рабочей температуре выше 300 ℃, и используйте лепкопроводящий адгезив, близкий к рабочему температурному режиму при 180 ℃, поэтому селективность теплопроводящей подложки больше, может использовать стекло и субстрат для домашних животных. Поэтому стоимость может быть сохраняются с каждой ступени чипа, подложки и оборудования, а изготовителю светодиода требуется только купить горячий пресс для соответствия лепному проводящему клею, а общая стоимость будет снижена примерно на 30% по сравнению с эвтектикой au / sn.

в 2001 году впервые было предложено wierer и др., что эффективность извлечения света увеличилась в 1,6 раза от структуры. Щекин и др. в 2006 году в обломочных чипах с флип-чипом на основе создания структуры инверсии пленки ультрафиолетовый светодиодные чипы , структура с технологией лазерной десорбции для удаления сапфирового субстрата и истончение n-гана на дне собственных материалов гамма, выходная мощность света светодиодной микросхемы по сравнению с обычной инверсионной структурой способствовала в два раза, при токе 350 ма , структура внешней квантовой эффективности достигала 36%.

с точки зрения повышения эффективности световой экстракции, улучшения характеристик рассеивания тепла и инвертирования сварочной технологии, инверсия на основе gan сделала много научных исследований. Между тем, индустрия внимательно следит. Некоторые производители, основанные на обратной технологии, представили продукты упаковки csp уровня чипа. например, тайваньский полупроводник представил новейшую технологию распаковки чипов, называемую elc, без модуля капсулирования в тайваньском полупроводниковом полупроводниковом освещении, philipslumileds'luxeonflipchip, luxeonq, cree of xq-b, xq-eled и других продуктах. Недавно Samsung представила новейшие продукты, в том числе мощные lm131a, мощные модули lh141a и ламповые лампы.

(пожалуйста, продолжайте читать вопросы технологии о светодиодной микросхеме, инкапсуляции, освещении (2))