Индивидуальный плазменный очиститель Атмосферная плазма Низкотемпературное оборудование для очистки струи

Машина обработки поверхности в атмосфере плазмы APO-RP1020D Плазменная система атмосферная плазма Низкотемпературное оборудование для уборки струиИспользует очистку в плазме, эффективность очистки может быть значительно улучшена. Весь процесс очистки может быть завершен за несколько минут, поэтому у него высокий выход;

Принцип очистки плазмы

Плазма - это состояние существования материи. Обычно вещество существует в трех состояния: твердое, жидкое и газообразное. Однако в некоторых особых случаях есть четвертое государство, такое как вещества в ионосфере в Земле атмосфера. Существуют следующие вещества в плазме Состояние: электроны в высокоскоростном движении состояние; нейтральные атомы, молекулы, атомные группы (бесплатно радикалы) в активированном состояние; ионизированные атомы, молекулы; непрореагировал . молекулы, атомы и т. Д., Но вещества в целом остаются электрически нейтраль. Механизм очистки плазмы в основном опирается на активацию «активации» активных частиц в плазме для достижения цели удаления пятен на поверхности объекта. С точки зрения механизма реакции, очистка плазмы обычно включает в себя следующие Процессы: Неорганический газ взволнован в плазме государство; газовое фазовое вещество адсорбируется на твердой поверхности; адсорбированная группа реагирует с твердой поверхностной молекулой для образования продукта молекула; Молекула продукта решает образование газа фаза; Остаток оставляет поверхность

Принцип очистки активации

А, физическая Роль: Частица бомбардировка на поверхности материала

Большое количество активных частиц в плазме, такое как большое количество ионов, возбужденных молекул и свободных радикалов, действуют на поверхности твердого образец, которые не только удаляют исходные загрязнения и примеси, но и создают эффект травления. шероховать поверхность образец. Сформированы многие прекрасные и равномерные топографии, что увеличивает удельную поверхность образца и улучшает адгезию твердого вещества поверхность.

B, сшивание Эффект: Ключ активации энергии

Энергия частиц в плазме составляет от 0 до 20 эВ, а большинство связей в полимере составляет от 0 до 10 эВ. Поэтому после плазмы действует на твердую поверхность, исходные химические связи на твердой поверхности могут быть разбитыми. свободные радикалы образуют сеть сшивающие структуры с Эти Облигации, значительно активирующие поверхность активность.

C, химическое действие : Формирование новых функциональных групп

Если . Реактивный газ вводится в разрядное газ, вводится новая функциональная группа, такая как углеводородная группа, аминогруппа, карбоксильная группа или тому подобное, и на поверхности активированного материала происходит сложная химическая реакция, а также на поверхность активированного материала, а также эти . Функциональные группы являются активными группами, которые значительно улучшают поверхностную активность материал.

Технические характеристики

Преимущества продукта

1. . Низкая Температура: близко к нормальной температуре, особенно подходящей для полимерных материалов, более длительного времени хранения и более высокого натяжения поверхности чем Корона и пламя Методы.

2. . Сильная Функция: включает в себя только мелкую поверхность полимерного материала ( 10 -1000A ), что может дать ему одну или несколько новых функций при сохранении собственных характеристики;

3. . Низкий Стоимость: Устройство простое, простое в эксплуатации и обслуживании, и может управляться непрерывно. Обычно несколько бутылок газа могут заменить тысячи килограммов чистящей жидкости, поэтому стоимость уборки будет намного ниже чем мокрый уборка.

4. . Полный процесс управляемый Процесс: Все параметры могут быть установлены PLC и запись данных для качества контроль.

5. . Обработка геометрии Неограниченная: Большой или маленький, простой или сложный, детали или текстиль могут быть обработаны.

6. . Объект очистки сушат после очистки плазмы и может быть отправлен в следующий процесс без сушки. может улучшить эффективность обработки всего процесса линия;

7. . Уборка плазмы позволяет пользователям держаться подальше от вредных растворителей и нанести вред человеку тело. Это также позволяет избежать проблемы легкой очистки и очистки объектов во влажном очистку.

8. . Избегайте использования вредных растворителей ODS, таких как трихлорэтан, так что не будет производиться вредных загрязнителей после Следовательно, этот метод очистки является экологически чистой зеленой очисткой Метод. Это . становится все более и важнее когда Мир очень обеспокоен окружающей средой защита;

9. . Плазма, генерируемая на высокой частоте в диапазоне радио волн. В отличие от прямого света, такого как лазерный свет, направленность плазмы не является сильным, что позволяет ему глубоко в микро-отверстия И углубления объекта для завершения задачи уборки, поэтому нет необходимости слишком много думать о форме объекта очищены. Более того, эффект очистки на эти сложно чистить детали похожи на или лучше чем Фреон уборка;

10. . Использование очистки плазмы, эффективность очистки может быть значительно улучшена. Весь процесс очистки может быть завершен за несколько минут, поэтому у него высокий выход;

11. . Очистка плазмы требует контролируемого вакуума примерно 100 Па, который легко достигается. Следовательно, стоимость оборудования такого устройства не высока, а процесс очистки не требует использования относительно дорогого органического растворителя, что делает общую стоимость более низкой обычная влажная очистка процесс;

12. . Использование плазменной очистки позволяет избежать лечения транспортировки, хранения и сброса чистящего раствора, поэтому производственная площадка может быть легко сохранена в чистоте и гигиеническое;

13. . Уборка плазмы может обрабатывать различные материалы, Это металл, полупроводник, оксид или полимерные материалы (такие в виде полипропилена, поливинил хлорид, политетрафторэтилен, Полиацил). Все полимеры, такие как имины, полиэфиры и эпоксидные смолы, могут быть обработаны с использованием плазма. Следовательно, это особенно подходит для материалов, которые не являются термостойкими и растворителями устойчивыми. Более того, также возможно выборочно очистить всю, частичную или сложную структуру материал;

14. . Поверхность свойств материала сама могут быть улучшены при очистке и дезактивировании завершено. Такие, как улучшение смачивания свойств поверхности, улучшение адгезии пленки и т. Д., Очень важна во многих приложениях.

15. . Объект очистки сушат после очистки плазмы и может быть отправлен в следующий процесс без сушки. может улучшить эффективность обработки всего процесса линия;

Функция :

Плазма включают атомы, молекулы, ионы, электроны, реактивные группы, возбужденные атомы, активированные молекулы и свободные радикалы. Эти . Частицы имеют высокую энергию и активность, а их Энергия достаточна для уничтожения практически всех химических связей на любую открытую поверхность. Когда . Химическая реакция вызвана, и некоторые химические связи открываются, высокоактивное вещество, такое как атом кислорода, привязан, так что гидрофильность Из поверхности материала значительно улучшается, а новая химическая реакция образована на органической макромолекуле, такой как масло на поверхности материала для образования газообразной маленькой молекулы. Для . Пример, диоксид углерода, водяной пар и другие газообразные вещества испускаются в воздухе для достижения молекулярной очистки поверхности поверхности материал.

Применение :

1> В основном используется в электронной промышленности, печать оболочки мобильного телефона, покрытие, дозирование и другие предварительные обработки, обработка поверхности экрана мобильного телефона

2> Аэрокосмический электрический разъем Очистка поверхности для оборонной промышленности

3> Печать и передача экрана Предварительная обработка В общей отрасли

в резиновой и пластмассовой промышленности, резиновой и пластмассовой промышленности, электронной промышленности, оборонной промышленности, медицинской промышленности, текстильном волокне промышленности.